English version

Umělá zátěž pro napájecí zdroje - elektronický odpor

     Pokud testujete různé napájecí zdroje (impulzní i klasické), jistě se vám bude hodit zátěž, jejíž odběr je možné plynule regulovat. Můžete s ní přesně zjistit, při jakém proudu začne růst zvlnění, klesat výstupní napětí či vypne elektronická pojistka.
     Moje umělá zátěž je velmi jednoduchá. K přeměně odebírané energie na teplo slouží tranzistor MOSFET-N. Odebíraný proud se reguluje změnou napětí na gejtu pomocí potenciometru. Aby nastavený proud nebyl závislý na vstupním napětí, je napětí potenciometru stabilizováno Zenerovou diodou. Aby bylo možné testovat i zdroje s malým výstupním napětím, je vhodné používat tzv. logic-MOSFET, neboli MOSFET ovladatelný logickou úrovní. Ten má nižší prahové napětí gejtu a umožní testovat zdroje s napětím od cca 4V. Pro logic-MOSFET je vhodná Zenerova dioda ZD okolo 4.3V, pro běžný MOSFET cca 7.5V. Tranzistor musí být na velkém chladiči, odpovídajícím maximálnímu ztrátovému výkonu. Pro krátkodobé testování může postačit menší chladič. Moje elektronická zátěž funguje v rozmezí vstupního napětí cca 4 - 28V. Logické MOSFETy mají obvykle na maximální napětí D-S 30V. Nikdy nepřekračujte maximální dovolené napětí tranzistoru. S použitím vhodného MOSFETu lze umělou zátěž postavit i pro vyšší napětí. V tom případě zvyšte hodnotu ochranného odporu R1. Pozor - umělá zátěž se může silně zahřívat! Riziko požáru! Nenechávejte ji v provozu bez dozoru. Pro větší bezpečnost je možné přidat proudovou a tepelnou pojistku.

Schéma umělé zátěže
Schéma regulovatelné umělé zátěže


Obrazec desky DPS a osazovací plánek, který podle mého schématu vytvořil Temsi (tímto mu děkuji). Zde jsou soubory pro stažení: obrazec desky pro tisk v PDF a osazovací plánek v Eaglu.

umělá zátěž - primitivní konstrukce
Regulovatelná umělá zátěž - primitivní konstrukce bez DPS :)

umělá zátěž
Regulovatelná umělá zátěž s knoflíkem.




zpět na hlavní stránku